ترانزستور MOSFET N-Channel – IRF640N عالي القدرة

⚡ ترانزستور IRF640N هو MOSFET من النوع N-Channel يُستخدم في تطبيقات التيار العالي والجهد المتوسط مثل دوائر المحولات، القيادة السريعة للأحمال، وأنظمة الطاقة في المشاريع الصناعية والالكترونية. يتميز بقدرته على تحمل تيار يصل إلى 18 أمبير وجهد يصل إلى 200 فولت، بالإضافة إلى مقاومة منخفضة أثناء التوصيل (Rds(on)) واستجابة سريعة، مما يجعله مثاليًا لأنظمة التبديل السريع ومشاريع الإلكترونيات عالية الكفاءة.

• ✅ المواصفات:نوع الترانزستور: MOSFET – N-Channel
• الجهد الأقصى بين المصدر والمصرف (Vds): 200 فولت
• أقصى تيار للمصرف (Id): 18 أمبير
• مقاومة التشغيل Rds(on): 0.18 أوم
• الجهد المطلوب لتشغيل البوابة (Vgs(th)): 2 – 4 فولت
• سرعة التبديل: عالية
• نوع التغليف: TO-220
• قدرة التبديل: حتى 125 واط
• درجة حرارة التشغيل: حتى +175 درجة مئوية

🔹 المميزات:

✔️ يتحمل تيارات وجهود عالية

✔️ مقاومة منخفضة أثناء التوصيل

✔️ مثالي لتطبيقات الطاقة والتبديل السريع

✔️ متوافق مع المتحكمات الدقيقة (مع دائرة بوابة مناسبة)

✔️ مناسب لتصميمات PWM والتحكم في المحركات

📌 الاستخدامات الشائعة:

• دوائر تحويل الطاقة (Boost/Buck/Inverter)
• أنظمة التحكم في المحركات
• دوائر PWM
• أنظمة الإضاءة عالية القدرة
• المشاريع الصناعية وأنظمة الطاقة الشمسية

🔸 وزن المنتج: 2 جرام