ترانزستور JFET قناة N – J113 منخفض الضوضاء

🎛 ترانزستور JFET قناة N – J113 – لتضخيم الإشارات التناظرية منخفضة الضوضاء والتطبيقات الصوتية 🎛

الترانزستور J113 هو ترانزستور تأثير المجال (JFET) من نوع القناة N يتميز بضوضاء منخفضة جدًا واستجابة سريعة، مما يجعله مثاليًا لتطبيقات تضخيم الإشارات الصغيرة، الدوائر التناظرية، ومراحل الإدخال في المضخمات الصوتية وأجهزة القياس.

يُستخدم بشكل شائع في الدوائر التناظرية، مكبرات الصوت، الحساسات، ودوائر الاستشعار الدقيقة حيث تكون الإشارة ضعيفة وتتطلب تضخيماً نظيفاً ومستقراً.

✅ المواصفات التقنية:

• النوع: N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET)
• الموديل: J113
• الحزمة: TO-92
• جهد التصريف إلى المصدر (Drain-Source Voltage – Vds): 35V
• تيار التصريف الأقصى (Drain Current – Idss): 2 إلى 20 mA
• مقاومة البوابة إلى المصدر (Gate-Source Cutoff Voltage – Vgs(off)): -0.5 إلى -5V
• مقاومة التصريف الديناميكية (Dynamic Drain Resistance – rd): 5kΩ إلى 30kΩ
• كسب النقل (Transconductance – gm): 2 إلى 6 mS
• قدرة التبديد القصوى (Power Dissipation): 350mW
• درجة الحرارة التشغيلية: -55°C إلى +150°C
• التوصيلات (عند النظر إلى الوجه المسطح من اليسار إلى اليمين):
• 1️⃣ التصريف (Drain)
• 2️⃣ المصدر (Source)
• 3️⃣ البوابة (Gate)
• الوزن: ≈1 جرام

🔹 المميزات:

✔ ترانزستور JFET منخفض الضوضاء لتضخيم الإشارات التناظرية.

✔ أداء ممتاز في مكبرات الصوت، وأجهزة الاستشعار الدقيقة.

✔ استهلاك طاقة منخفض واستجابة سريعة للإشارات الصغيرة.

✔ تصميم مدمج في حزمة TO-92 سهل التركيب على اللوحات التجريبية (Breadboards).

✔ مثالي للمشاريع التعليمية والبحثية في الإلكترونيات التناظرية.

📌 الاستخدامات الشائعة:

• مضخمات الإشارة الصغيرة (Pre-Amplifiers).
• دوائر الاستشعار الصوتي والحساسات التناظرية.
• مضخمات الجيتار والإلكترونيات الصوتية.
• الأنظمة التناظرية وأجهزة القياس الدقيقة.
• الدوائر البحثية والتعليمية.

ورقة المواصفات الفنية