🔧 IRF530N – MOSFET قناة N عالي القدرة والأداء
يُعد IRF530N واحدًا من أشهر MOSFETs المستخدمة في دوائر القدرة والتحكم بالمحركات والتحميلات العالية.
يوفر مقاومة تشغيل منخفضة جدًا، وقدرة على تمرير تيار مرتفع، مع سرعة تبديل ممتازة تجعله مناسبًا لدوائر PWM، التحكم بالمحركات، منظمات الجهد، دوائر H-Bridge، والأنظمة الصناعية.
✅ المواصفات التقنية:
- النوع: N-Channel Power MOSFET
- جهد التحمل Drain-Source (Vds): 100V
- التيار المستمر (Id): 31A
- مقاومة التشغيل Rds(on): ≈ 0.06Ω عند 10V Gate
- جهد تشغيل البوابة (Vgs): ±20V
- تبديد الطاقة (Power Dissipation): ≈ 110W
- سرعة التبديل: عالية جدًا (مناسب للـ PWM)
- درجة الحرارة التشغيلية: –55°C إلى +175°C
- نوع التغليف: TO-220
- الوزن: ≈ 2.5 جرام
🧩 أطراف الترانزستور (Pinout):
1️⃣ Gate (G) – بوابة التحكم
2️⃣ Drain (D) – المخرج للتحميل
3️⃣ Source (S) – الطرف الأرضي أو المرجعي
🔹 المميزات:
✔ يتحمل جهد عالي يصل إلى 100V.
✔ تيار مرتفع مناسب للأحمال الثقيلة.
✔ سرعة Switching عالية جدًا.
✔ مقاومة Rds(on) منخفضة → فقد أقل للحرارة وكفاءة أعلى.
✔ مناسب لأنظمة القيادة التي تعتمد على 10V للبوابة.
✔ مثالي لدوائر التحكم بالمحركات ودوائر الـ H-Bridge.
📌 الاستخدامات الشائعة:
- قيادة محركات DC.
- دوائر PWM عالية التردد.
- دوائر H-Bridge للتحكم ثنائي الاتجاه.
- منظمات الجهد ومحولات الطاقة (SMPS).
- دوائر LED عالية القدرة.
- أنظمة الروبوت والتحميلات الصناعية.
- مشاريع Arduino / ESP32 (مع Driver مناسب).
#9661548403255